DRAM內存速度快、延遲低，但是掉電就會丟失數(shù)據(jù)，機械、固態(tài)存儲則正好相反，所以一直以來都是涇渭分明，而現(xiàn)在，有一種技術意欲通吃兩大領域，這就是Intel 3D XPoint。

這是一種基于電阻的非易失性內存存儲方案，讀取延遲10納秒級別，使用壽命即全盤寫入1000萬次級別，均介于傳統(tǒng)DRAM、NAND之間。它的定位并不是取代DRAM和/或NAND，而是在它們之外的補充。

非易失性技術方案很多，Intel 3D XPoint是第一個完整成熟起來并快速投入商用化的。IDF 2015峰會上，Intel昨天已經宣布了基于該技術的Optane固態(tài)硬盤，將會從今年底開始陸續(xù)進入數(shù)據(jù)中心和筆記本，提供M.2、U.2、PCI-E等多種規(guī)格，比傳統(tǒng)固態(tài)硬盤快足足5-7倍，更具體的規(guī)格將在稍后公布。

今天，Intel又宣布了同樣基于3D XPoint技術的DIMM內存條，號稱可比傳統(tǒng)DDR內存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本，而且接口和電氣特性兼容現(xiàn)有DDR4，可平滑過渡。

這也是歷史上第一次將非易失性技術應用于系統(tǒng)主內存。

3D XPoint DIMM內存主要面向數(shù)據(jù)中心、大數(shù)據(jù)分析，具體發(fā)布時間未公布。

以后，我們的內存、硬盤都可以是同一種介質了。